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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DV281622AT-5 |
| 英文描述： | SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內存|復員| 4X2MX16 |的CMOS | TSSOP封裝| 66PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 23/27頁 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | HY5DV281622AT-5 |
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Rev. 0.3/May. 02
23
HY5DV281622AT
AC OPERATING CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note :
1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input on CK.
2. The value of VIX is expected to equal 0.5*V
DDQ
of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to VSS = 0V)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IH(AC)
V
REF
+ 0.45
V
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IL(AC)
V
REF
- 0.45
V
Input Differential Voltage, CK and /CK inputs
V
ID(AC)
0.7
V
DDQ
+ 0.6
V
1
Input Crossing Point Voltage, CK and /CK inputs
V
IX(AC)
0.5*V
DDQ
-0.2
0.5*V
DDQ
+0.2
V
2
Parameter
Value
Unit
Reference Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
Termination Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
AC Input High Level Voltage (V
IH
, min)
V
REF
+ 0.45
V
AC Input Low Level Voltage (V
IL
, max)
V
REF
- 0.45
V
Input Timing Measurement Reference Level Voltage
V
REF
V
Output Timing Measurement Reference Level Voltage
V
TT
V
Input Signal maximum peak swing
1.5
V
Input minimum Signal Slew Rate
1
V/ns
Termination Resistor (R
T
)
50
Series Resistor (R
S
)
25
Output Load Capacitance for Access Time Measurement (C
L
)
30
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV651622TC-G55 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622TC-G6 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622TC-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G55 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G6 | DDR Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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