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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DV651622T-G6 |
| 英文描述： | DDR Synchronous DRAM |
| 中文描述： | DDR同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 26/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | HY5DV651622T-G6 |
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Rev. 0.3/May. 02
26
HY5DV281622AT
CAPACITANCE
(T
A
=25
o
C, f=1MHz )
Note :
1. V
DD
= min. to max., V
DDQ
= 2.3V to 2.7V, V
O
DC = V
DDQ
/2, V
O
peak-to-peak = 0.2V
2. Pins not under test are tied to GND.
3. These values are guaranteed by design and are tested on a sample basis only.
OUTPUT LOAD CIRCUIT
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input Clock Capacitance
CK, /CK
C
CK
2.0
3.0
pF
Input Capacitance
All other input-only pins
C
IN
2.0
3.0
pF
Input / Output Capacitanc
DQ, DQS, DM
C
IO
4.0
5.0
pF
V
REF
V
TT
V
TT
R
T
=50
R
T
=50
R
S
=25
Zo=50
C
L
=30pF
Output
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV651622T-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5PS121623F | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS121623LF | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS12423F | 128Mx4|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS12423LF | 128Mx4|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV651622T-G7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DW113222FM | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-2 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-22 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-25 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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