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參數(shù)資料
| 型號： | HY5V16CF-H |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | HY5V16CF-H |
HY5V16CF
Rev. 0.0/Jun.01
8
AC CHARACTERISTICS I
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
S y m b o l
-H
-S
Unit
Note
Min
M a x
Min
M a x
R A S Cycle Time
Operation
t
R C
65
-
70
-
n s
Auto Refresh
t
R R C
65
-
70
-
n s
R A S to C A S Delay
t
R C D
20
-
20
-
n s
R A S Active Time
t
R A S
45
1 2 0 K
50
1 2 0 K
n s
R A S Precharge Time
t
R P
20
-
20
-
n s
R A S to R A S Bank Active Delay
t
R R D
15
-
20
-
n s
C A S to C A S Delay
t
C C D
1
-
1
-
C L K
Write Command to Data-In Delay
t
W T L
0
-
0
-
C L K
Data-In to Precharge Command
t
D P L
1
-
1
-
C L K
Data-In to Active Command
t
D A L
4
-
3
-
C L K
DQM to Data-Out Hi-Z
t
D Q Z
2
-
2
-
C L K
DQM to Data-In Mask
t
D Q M
0
-
0
-
C L K
M R S t o N e w C o m m a n d
t
M R D
1
-
1
-
C L K
Precharge to Data
Output Hi-Z
C A S Latency = 3
t
P R O Z 3
3
-
3
-
C L K
C A S Latency = 2
t
P R O Z 2
2
-
2
-
C L K
Power Down Exit Time
t
P D E
1
-
1
-
C L K
Self Refresh Exit Time
t
S R E
1
-
1
-
C L K
1
Refresh Time
t
R E F
-
64
-
64
m s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V16CF-S | x16 SDRAM |
| HY6116-10 | x8 SRAM |
| HY6116-12 | x8 SRAM |
| HY6116-15 | x8 SRAM |
| HY6116ALP-10 | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5V16CF-S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5V22(L)F(P)-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY5V22(L)F(P)-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY5V22(L)F(P)-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY5V22(L)F(P)-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
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