參數(shù)資料
型號: HYB 3116400BJ
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM)
中文描述: 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器(4米× 4位動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 22/26頁
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代理商: HYB 3116400BJ
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
22
1998-10-01
Hidden Refresh Early Write Cycle
SPT03035
"H" or "L"
WRP
Column
Row
Address
(Output)
(Input)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IN
V
V
IL
WE
IL
V
IH
V
V
IL
Valid Data
t
DS
t
WCS
t
DH
WP
t
WCH
t
t
ASR
V
CAS
IH
V
t
IL
IH
V
RAS
V
IL
IH
V
RAS
ASC
RAH
t
t
t
RAD
RCD
t
t
CAH
t
RSH
t
RC
t
RP
t
Row
Hi Z
t
WRH
RC
t
RAS
CHR
t
t
ASR
t
CRP
t
RP
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB5117400BJ-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5117400BJ-50- Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 350 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
HYB5117400BT-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5117400BT-60 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5117400BT-70 4M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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