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參數資料
| 型號： | HYB 3116405BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超頁模式-江戶）（4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超級頁面EDO公司）） |
| 文件頁數： | 3/28頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | HYB 3116405BJ-60 |
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HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
3
1998-10-01
Pin Configuration
(top view)
Pin Names
HYB 5(3)16405
4k-Refresh
HYB 5(3)17405
2k-Refresh
Row Address Inputs
A0 - A11
A0 - A10
Column Address Inputs
A0 - A9
A0 - A10
Row Address Strobe
RAS
Column Address Strobe
CAS
Output Enable
OE
Data Input/Output
I/O1 - I/O4
Read/Write Input
WE
V
CC
V
SS
Power Supply
Ground (0 V)
Not Connected
–
N.C.
P-SOJ-26/24-1 300 mil
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
CC
V
A0
A1
A2
A3
9
10
11
12
13
2
3
4
5
6
1
14
26
25
18
17
16
15
22
21
23
24
SPP03454
8
19
A10
SS
V
A4
I/O3
CAS
OE
A9
I/O4
SS
V
I/O1
I/O2
A11 / N.C.
RAS
WE
V
CC
A5
A6
A7
A8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3116405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BTL-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BTL-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB3116405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJBTL-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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