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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 3116405BT-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁面EDO)) |
| 中文描述： | 4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（4K的刷新，超頁模式-江戶）（4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（4K的刷新，超級(jí)頁面EDO公司）） |
| 文件頁數(shù)： | 9/28頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | HYB 3116405BT-60 |
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HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
9
1998-10-01
Access time from column address
t
AA
t
OEA
t
RAL
t
RCS
t
RCH
–
25
–
30
ns
8, 10
OE access time
–
13
–
15
ns
Column address to RAS lead time
25
–
30
–
ns
Read command setup time
0
–
0
–
ns
Read command hold time
Read command hold time referenced to RAS
t
RRH
CAS to output in low-Z
0
–
0
–
ns
11
0
–
0
–
ns
11
t
CLZ
t
OFF
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay
0
13
0
15
ns
12
Output turn-off delay from OE
0
13
0
15
ns
12
Data to CAS low delay
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
8
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
8
–
10
–
ns
Write command to CAS lead time
8
–
10
–
ns
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
8
–
10
–
ns
16
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
113
–
138
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
77
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
32
–
ns
15
Column address to WE delay time
39
–
47
–
ns
15
OE command hold time
10
–
13
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3116405BTL-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁面EDO)) |
| HYB 3116405BTL-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁面EDO)) |
| HYB 3117405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁面EDO)) |
| HYB 3117405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁面EDO)) |
| HYB 3117405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁面EDO)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BTL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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