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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 3116405BTL-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超頁模式-江戶）（4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超級頁面EDO公司）） |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | HYB 3116405BTL-50 |
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HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
18
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
SPT03039
"H" or "L"
DS
Data
Column
t
IH
V
I/O
(Input)
OE
V
V
IL
IH
V
IL
WE
V
V
IL
IH
Data
t
DS
WCS
t
IN 1
t
DH
t
WP
CWL
t
t
WCH
t
t
WCS
CAS
Address
V
IL
V
IH
IL
V
RAS
V
IH
IL
V
V
IH
t
t
ASC
Column
Address
Row
ASR
t
RAD
t
RAH
t
t
CRP
t
RCD
1
t
CSH
CAH
ASC
t
HPC
CAS
t
t
CP
t
Data
DS
IN 2
t
DH
t
CWL
WCH
WP
t
t
t
t
WCS
IN N
t
DH
t
t
WCH
WP
t
CWL
CRP
RP
t
Column
2
CAH
t
ASC
t
t
CAS
RWL
t
N
t
CAH
t
RAL
RSH
t
CAS
t
RHCP
t
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3116405BTL-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3117405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3117405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3117405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO)) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BTL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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