參數(shù)資料
型號: HYB 3117405BT-60
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
中文描述: 4米× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器(的2K刷新,超頁模式-江戶)(4米× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器(2K刷新,超級頁面EDO公司))
文件頁數(shù): 25/28頁
文件大小: 143K
代理商: HYB 3117405BT-60
HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
25
1998-10-01
CAS-before-RAS Refresh Counter Test Cycle
SPT03036
"H" or "L"
t
WCH
t
t
DZC
t
(Inputs)
I/O
(Outputs)
I/O
OH
OL
V
IL
V
V
IH
V
OE
WE
Write Cycle
IL
IL
V
IH
V
V
IH
V
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
OL
V
OH
V
IL
V
IH
V
t
DS
Z
Hi
Data IN
t
WRP
WRH
t
DH
t
t
DZO
WCS
t
t
t
CLZ
OE
WE
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
Address
CAS
IH
IL
V
V
V
IL
IH
V
Read Cycle
RAS
V
IH
IL
V
WRP
t
WRH
t
t
RCS
AA
t
CAC
t
ASC
t
t
CAH
Column
CSR
t
CHR
t
CP
t
RAS
t
RWL
CWL
t
Data OUT
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
OEA
t
RRH
RAL
CAS
t
CDD
t
RCH
t
t
ASR
Row
RSH
t
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 5116405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 5116405BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 5117405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 5117405BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3117800BSJ-50 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
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參數(shù)描述
HYB3117405BT-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3117405BT-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh
HYB3117800BSJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM