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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 314175BJ-55 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM（3.3 256K × 16位外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO公司）動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 17/24頁 |
| 文件大小： | 1307K |
| 代理商： | HYB 314175BJ-55 |
HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60
3.3V 256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
17
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify-Write Cycles
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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