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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 314175BJL-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM（3.3 256K × 16位外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO公司）動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 9/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 1307K |
| 代理商： | HYB 314175BJL-60 |
HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60
3.3V 256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
9
Hyper Page Mode (EDO) Read-Modify-Write Cycle
Hyper page mode read/write cycle
time
t
PRWC
58
–
58
–
68
–
ns
CAS precharge to WE delay time
t
CPWD
41
–
41
–
49
–
ns
CAS before RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
5
–
5
–
5
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
10
–
ns
Write to RAS hold time
10
–
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
35
–
40
–
ns
Self Refresh Cycle (L-Version only)
RAS pulse width
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100
–
100
–
100
–
μ
s
ns
RAS precharge time
95
–
110
–
110
–
CAS hold time
– 50 –
– 50 –
– 50 –
ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-55
-60
min
max min
max min
max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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