參數(shù)資料
型號(hào): HYB 39S256400T
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 256兆位(4banks × 16兆× 4)同步DRAM(256M(4列× 1,600位× 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 18/47頁
文件大小: 316K
代理商: HYB 39S256400T
HYB 39S256400/800/160T
256-MBit Synchronous DRAM
Data Book
18
12.99
CAS(a) to CAS(b)
Command Period
t
CCD
1
1
1
1
CLK
Refresh Cycle
Refresh Period
(8192 cycles)
t
REF
64
64
64
64
ms
Self Refresh Exit Time
t
SREX
1
1
1
1
CLK
7
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
3
3
3
3
ns
2, 6
Data Out to Low
Impedance Time
1
0
0
0
ns
Data Out to High
Impedance Time
t
HZ
3
7
3
8
3
8
3
10
ns
DQM Data Out Disable
Latency
t
DQZ
2
2
2
2
CLK
Write Cycle
Write Recovery Time
t
WR
t
DQW
2
2
2
2
CLK
DQM Write Mask Latency
0
0
0
0
CLK
AC Characteristics
(cont’d)
1, 2
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Limit Values
Unit
Note
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
-8A
PC100-322
-8B
PC100-323
min.
max. min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S256800T 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S256400AT 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S256800AT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
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HYB 39S256400CT 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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