參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 5116400BJ-60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM)
中文描述： 4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（4米× 4位動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 6/26頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： HYB 5116400BJ-60
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
6
1998-10-01
Absolute Maximum Ratings
Operating temperature range ........................................................................................... 0 to 70
°
C
Storage temperature range........................................................................................ – 55 to 150
°
C
Input/output voltage (5 V versions)................................................... – 0.5 to min (
V
CC
+ 0.5, 7.0) V
Input/output voltage (3.3 V versions)................................................ – 0.5 to min (
V
CC
+ 0.5, 4.6) V
Power supply voltage (5 V versions) ....................................................................... – 1.0 V to 7.0 V
Power supply voltage (3.3 V versions) .................................................................... – 1.0 V to 4.6 V
Power dissipation( 5 V versions) .............................................................................................1.0 W
Power dissipation (3.3 V versions) ..........................................................................................0.5 W
Data out current (short circuit) ................................................................................................50 mA
Note: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent
damage of the device. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods
may affect device reliability.
DC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
SS
= 0 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Test
Condition
min.
max.
5 V Versions
Power supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
4.5
5.5
V
CC
+ 0.5 V
0.8
V
Input high voltage
2.4
1
Input low voltage
Output high voltage (
I
OUT
= – 5 mA)
Output low voltage (
I
OUT
= 4.2 mA)
3.3 V Versions
– 0.5
V
1
2.4
–
V
1
–
0.4
V
1
Power supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
3.0
3.6
V
CC
+ 0.5 V
0.8
V
Input high voltage
2.0
1
Input low voltage
TTL Output high voltage (
I
OUT
= – 2 mA)
TTL Output low voltage (
I
OUT
= 2 mA)
CMOS Output high voltage (
I
OUT
= – 100
μ
A)
CMOS Output low voltage (
I
OUT
= 100
μ
A)
– 0.5
V
1
2.4
–
V
1
–
V
CC
– 0.2 –
–
0.4
V
1
V
0.2
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 5117400BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM)
HYB 3116405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO))
HYB 3116405BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO))
HYB 3116405BT-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO))
HYB 3116405BT-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO))
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參數(shù)描述
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HYB5116400BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BT-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BT-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BT-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM
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