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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5117400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4米× 4位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 13/26頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | HYB 5117400BJ-50 |
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
13
1998-10-01
Write Cycle (Early Write)
SPT03026
"H" or "L"
RWL
RAL
WCS
OH
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
IL
V
OL
V
V
V
IH
OE
WE
IH
V
IL
V
V
IL
V
IH
t
Valid
DS
t
DH
Data IN
WCH
t
t
WP
t
V
Address
IH
V
V
IL
IL
CAS
RAS
V
IH
IH
V
V
IL
t
RAD
ASR
t
t
RAH
Row
t
Column
ASC
t
CWL
t
CAH
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RCD
t
CSH
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t
RAS
t
Z
Hi
t
RC
CAS
RSH
t
ASR
t
Row
CRP
t
t
RP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BTL-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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