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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 5117405BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| 中文描述： | 4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（的2K刷新，超頁(yè)模式-江戶）（4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（2K刷新，超級(jí)頁(yè)面EDO公司）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | HYB 5117405BJ-60 |
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HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
11
1998-10-01
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
t
CHRT
t
RAHT
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
ns
CAS hold time
30
–
30
–
ns
RAS hold time in test mode
30
–
30
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3117800BSJ-50 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB 5117800BSJ-50 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB 5117800BSJ-60 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB 5117800 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB 3117800BSJ-60 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB5117405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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