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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T128800TCL-7 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | MEMORY SPECTRUM |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁數(shù)： | 21/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1526K |
| 代理商： | HYB18T128800TCL-7 |
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D
S
F
D
21
Nomenclature Reduced Latency DRAM (RLDRAM
)
S p e c i a l t y D R A M s
Speed
4
5
=
=
250 MHz
200 MHz
Package
C
=
FBGA
Product Revision
Die Revision
Organization
32
16
=
=
x 32
x 16
Memory Density
256 =
256 Mb
Memory Type
RL
=
Reduced Latency DRAM (RLDRAM)
I/O Voltage
18
=
1.8 V (VDDQ)
Prefix
HYB =
Standard Prefix for Memory Components
HYB
18
RL
256
32
A
C
- 4
(Example)
Reduced Latency DRAM (RLDRAM
)
Density
Organization
Power Supply
Speed
Package
Prod.
Green
256 Mb
250 MHz
4
Q67100
Q4355
8 M x 32
200 MHz
HYB18RL25632AC-
5
Q67100
Q4357
2.5 V / 1.8 V VDDQ
250 MHz
4
Q67100
Q4356
T-FBGA-144
Now
16 M x 16
200 MHz
HYB18RL25616AC-
5
Q67100
Q4358
Sales Description
Speed No.
Ordering Code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T128800TCL-75 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB18T128800TCL-7F | MEMORY SPECTRUM |
| HYB18T128800TE-3 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB18T128800TE-37 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB18T128800TE-5 | MEMORY SPECTRUM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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