參數資料
型號： HYB18T1G400AF
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述： 1千兆位DDR2內存
文件頁數： 13/89頁
文件大小： 1261K
代理商： HYB18T1G400AF
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 13 Rev. 1.02 May 2004
2. Functional Description
2.1 Simplified State Diagram
Reading_AP
Idle
MRS
tMRD
Reading
R
tRFC
Bank Active
tRP
tRCD
Read
R
Writing
Writing_AP
Wie
W
Selfrefresh
Active PD
CKEH
Precharge PD
PD_entry
CKEH
REFS
REFSX
Ra_P
Write
Read
Autorefreshing
setting MRS
or EMRS
Precharging
Activating
Initialization
Sequence
RL + BL/2 + tRTP
A
P
WL + BL/2 + WR
CKEL
CKEL
CKEL
PD_entry
Automatic Sequence
Command Sequence
P
This Simplified State Diagram is intended to provide a floorplan of the possible state transitions and the
commands to control them. In particular situations involving more than one bank, enabling / disabling on-die
termination, Power-Down entry / exit - among other things - are not captured in full detail.
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T1G400AF-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-3S 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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