參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3116400BJ-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO26
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SO-26
文件頁(yè)數(shù)： 2/26頁(yè)
文件大?。?/td> 253K
代理商： HYB3116400BJ-50
Semiconductor Group
2
HYB 3116(7)400BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
The HYB 3116(7)400BJ/BT is a 16MBit dynamic RAM organized as 4194304 words by 4-bits. The
HYB 3116(7)400BJ/BT utilizes a submicron CMOS silicon gate process technology, as well as
advanced circuit techniques to provide wide operating margins, both internally and for the system
user. Multiplexed address inputs permit the HYB 3116(7)400BJ/BT to be packaged in a standard
SOJ 26/24 300 mil or TSOPII-26/24 300 mil wide plastic package. These packages provide high
system bit densities and are compatible with commonly used automatic testing and insertion
equipment. System-oriented features include single + 3.3 V (± 0.3 V) power supply, direct
interfacing with high-performance logic device families.The HYB3116400BTL parts have a very low
power sleep mode“ supported by Self Refresh.
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Descriptions
HYB 3117400BJ-50
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3117400BJ-60
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3117400BJ-70
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3117400BT-50
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3117400BT-60
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3117400BT-70
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116400BJ-50
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116400BJ-60
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116400BJ-70
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116400BT-50
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116400BT-60
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116400BT-70
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116400BTL-50
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116400BTL-60
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116400BTL-70
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 70 ns)
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