參數(shù)資料
型號: HYB3116405BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁數(shù): 22/26頁
文件大小: 285K
代理商: HYB3116405BJ-50
Semiconductor Group
22
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hidden Refresh Cycle (Read)
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
CAS
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
t
CRP
t
CHR
t
RAD
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
ASR
t
RCS
t
RRH
t
AA
t
OEA
t
DZC
t
DZO
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
t
CDD
t
RCD
t
RSH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
t
WRP
t
WRH
“H” or “L”
Valid Data Out
Row
Column
Row
HI-Z
VOH
VOL
WL11
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PDF描述
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