參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3116405BTL-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-24
文件頁(yè)數(shù)： 5/26頁(yè)
文件大?。?/td> 285K
代理商： HYB3116405BTL-60
Semiconductor Group
5
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Block Diagram for HYB3116405
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(10)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (12)
Address
Buffers(12)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
4096x1024x4
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
CAS
4096
1024
x4
.
RAS
10
12
10
4
4
4
I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
OE
12
12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3116405BTL-70 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85
HYB3117405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-50 2M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-70 2M x 8-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3116405BTL-70 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117400BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3117400BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3117400BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3117400BT-50 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
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