參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3117405BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁(yè)數(shù)： 18/26頁(yè)
文件大?。?/td> 285K
代理商： HYB3117405BJ-60
Semiconductor Group
18
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify-Write Cycle
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WL17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3116405BTL-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70
HYB3116405BTL-70 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85
HYB3117405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-50 2M x 8-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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