參數(shù)資料
型號： HYB3164165BTL-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： INDUCTOR CHIP .10UH 5% 0805 SMD
中文描述： 4M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁數(shù)： 24/29頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： HYB3164165BTL-60
Semiconductor Group
24
HYB3164(5/6)165AT(L)-40/-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
RAS Only Refresh Cycle
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VOL
Row
Row
HI-Z
Address
RAS
UCAS
LCAS
I/O
(Outputs)
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“H” or “L”
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PDF描述
HYB3165165BTL-60 4M x 16-Bit Dynamic RAM
HYB3166165BTL-60 4M x 16-Bit Dynamic RAM
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HYB3164165TL-60 4M x 16-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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