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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3164405AJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/32頁(yè) |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | HYB3164405AJ-60 |
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Semiconductor Group
92
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
TRUTH TABLE
FUNCTION
RAS
CAS
WRITE
OE
ROW
ADDR
COL
ADDR
I/O1-
I/O4
Standby
H
H - X
X
X
X
X
High Impedance
Read
L
L
H
L
ROW
COL
Data Out
Early-Write
L
L
L
X
ROW
COL
Data In
Delayed-Write
L
L
H - L
H
ROW
COL
Data In
Read-Modify-Write
L
L
H - L
L - H
ROW
COL
Data Out, Data In
Hyper Page Mode Read
1st Cycle
L
H - L
H
L
ROW
COL
Data Out
2nd Cycle
L
H - L
H
L
n/a
COL
Data Out
Hyper Page Mode Write 1st Cycle
L
H - L
L
X
ROW
COL
Data In
2nd Cycle
L
H - L
L
X
n/a
COL
Data In
Hyper Page Mode RMW 1st Cycle
L
H - L
H - L
L - H
ROW
COL
Data Out, Data In
2st Cycle
L
H - L
H - L
L - H
n/a
COL
Data Out, Data In
RAS only refresh
L
H
X
X
ROW
n/a
High Impedance
CAS-before-RAS refresh
H - L
L
H
X
X
n/a
High Impedance
Test Mode Entry
H - L
L
L
X
X
n/a
High Impedance
Hidden Refresh
READ
L-H-L
L
H
L
ROW
COL
Data Out
WRITE
L-H-L
L
L
X
ROW
COL
Data In
Self Refresh
(L-version only)
H - L
L
H
X
X
X
High Impedance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3165405AJ-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405BJ-50 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BJ-50 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405BT-40 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BT-40 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3164405AT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405AT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405AT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405ATL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405ATL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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