- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370790 > HYB3164805AT-50 (SIEMENS A G) High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3164805AT-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/32頁(yè) |
| 文件大小： | 477K |
| 代理商： | HYB3164805AT-50 |
第1頁(yè)第2頁(yè)當(dāng)前第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)
Semiconductor Group
151
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Pin Configuration
P-SOJ-34-1 (500 mil)
P-TSOPII-34-1 (500 mil)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164805AT-60 | Enhanced Product Wideband Low-Distortion Fully Differential Amplifier 8-MSOP-PowerPAD -55 to 125 |
| HYB3164805BJ | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805BJ-60 | Wideband, Low Distortion Fully Differential Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40 to 85 |
| HYB3164805BTL-60 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805J | Wideband, Low Distortion Fully Differential Amplifier with Shutdown 8-MSOP -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3164805AT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805ATL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805ATL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805BJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805BJ-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。