參數(shù)資料
型號(hào): HYB3164805BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 8M x 8-Bit Dynamic RAM
中文描述: 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32
文件頁(yè)數(shù): 16/32頁(yè)
文件大?。?/td> 477K
代理商: HYB3164805BJ-50
Semiconductor Group
164
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Write Cycle (OE Controlled Write)
Valid Data
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
ODD
t
CWL
t
DZO
t
OEA
t
CLZ
t
DS
t
OEZ
t
DH
t
RC
VIH
VIL
Row
t
DZC
“H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
Column
Row
t
ASC
t
RAD
t
RAL
t
CAH
t
RAH
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
.
t
RAS
t
CSH
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
ASR
t
ASR
WL3
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PDF描述
HYB3165805BJ-50 8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3164805BTL-50 8M x 8-Bit Dynamic RAM
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