參數(shù)資料
型號: HYB3164805BT-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 8M x 8-Bit Dynamic RAM
中文描述: 8M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
文件頁數(shù): 12/32頁
文件大?。?/td> 477K
代理商: HYB3164805BT-60
Semiconductor Group
160
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
10
ns
18)
Write command hold time
10
10
ns
18)
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V ,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
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PDF描述
HYB3165805BT-60 8M x 8-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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