參數(shù)資料
型號(hào): HYB3164805J
廠商: SIEMENS AG
元件分類: 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述: Wideband, Low Distortion Fully Differential Amplifier with Shutdown 8-MSOP -40 to 85
中文描述: 8米× 8位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁數(shù): 15/32頁
文件大?。?/td> 477K
代理商: HYB3164805J
Semiconductor Group
163
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Write Cycle (Early Write)
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
.
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
ASC
t
WCH
Valid Data In
t
DS
t
DH
Hi Z
Column
Row
Row
t
RAH
t
WCS
“H” or “L”
WL2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3164805T-50 8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3164805T-60 Wideband, Low Distortion Fully Differential Amplifier with Shutdown 8-MSOP -40 to 85
HYB3164805ATL-50 8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3165805ATL-50 8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3164805ATL-60 8M x 8-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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HYB3164805TL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM