參數(shù)資料
型號: HYB3164805T-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 8M x 8-Bit Dynamic RAM
中文描述: 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO34
文件頁數(shù): 12/32頁
文件大小: 477K
代理商: HYB3164805T-50
Semiconductor Group
160
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
10
ns
18)
Write command hold time
10
10
ns
18)
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V ,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關PDF資料
PDF描述
HYB3164805T-60 Wideband, Low Distortion Fully Differential Amplifier with Shutdown 8-MSOP -40 to 85
HYB3164805ATL-50 8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3165805ATL-50 8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3164805ATL-60 8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3165805ATL-60 8M x 8-Bit Dynamic RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3164805T-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3164805TL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3164805TL-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3165160AT-40 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM
HYB3165160AT-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM