參數(shù)資料
型號： HYB3165400J-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3116; Number of Contacts:11; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin
中文描述： 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO34
文件頁數(shù)： 1/26頁
文件大小： 246K
代理商： HYB3165400J-60
Semiconductor Group 1 6.97
16 777 216 words by 4-bit organization
0 to 70 °C operating temperature
Fast Page Mode operation
Performance:
Single + 3.3 V (
±
0.3V) power supply
Low power dissipation:
max. 396 mW active ( HYB 3164400AJ/AT(L) -40)
max. 324 mW active ( HYB 3164400AJ/AT(L) -50)
max. 270 mW active ( HYB 3164400AJ/AT(L) -60)
max. 558 mW active ( HYB 3165400AJ/AT(L) -40)
max. 468 mW active ( HYB 3165400AJ/AT(L) -50)
max. 378 mW active ( HYB 3165400AJ/AT(L) -60)
7.2 mW standby (LVTTL)
3.24 mW standby (LVCMOS)
720
μ
W standby for L-versions
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh (CBR),
RAS-only refresh, hidden refresh and self refresh (L-version only)
8192 refresh cycles/128 ms , 13 R/ 11C addresses (HYB 3164400AJ/AT)
4096 refresh cycles/ 64 ms , 12 R/ 12C addresses (HYB 3165400AJ/AT)
256 msec refresh period for L-versions
Plastic Package
P-SOJ-32-1 400 mil HYB 3164(5)400AJ
P-TSOPII-32-1 400 mil HYB 3164(5)400AT
-40
-50
-60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS access time
40
50
60
ns
CAS access time
10
13
15
ns
Access time from address
20
25
30
ns
Read/write cycle time
75
90
110
ns
Fast page mode cycle time
30
35
40
ns
16M x 4-Bit Dynamic RAM
(4k & 8k Refresh)
Advanced Information
HYB 3164400AJ/AT(L) -40/-50/-60
HYB 3165400AJ/AT(L) -40/-50/-60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3164400AT-40 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165400AT-40 16M x 4-Bit Dynamic RAM
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HYB3117400BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3116400BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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