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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165405AT-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 文件頁數(shù)： | 19/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | HYB3165405AT-60 |
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Semiconductor Group
107
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle (OE Control)
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
Column 2
Row
Data Out
1
RAS
I/O
(Output)
WE
Address
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
t
RCS
t
RRH
t
RCH
t
RAC
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AA
t
CAC
t
CLZ
t
OEA
t
OES
t
OEZ
t
CAC
t
AA
t
CPA
Data Out
Column N
Column 1
Data Out
N
t
OEZ
t
OFF
t
CAC
t
AA
t
CPA
2
t
OEP
t
OEHC
t
OEA
t
OEP
t
OEHC
t
OEZ
t
OEA
WL6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164405BTL-50 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BTL-50 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405BJ-60 | SRAM Memory IC; Memory Type:NMOS SRAM; Interface Type:Serial; Access Time, Tacc:350ns; Package/Case:16-DIP; Mounting Type:Through Hole |
| HYB3164405AJ | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD 0 to 70 |
| HYB3164405AT-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3165405ATL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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| HYB3165405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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