- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370789 > HYB3165405BJ-60 (SIEMENS A G) 16M x 4-Bit Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165405BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32 |
| 文件頁數(shù)： | 30/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | HYB3165405BJ-60 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當前第30頁第31頁第32頁
Semiconductor Group
118
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
CAS-before-RAS Refresh Counter Test Cycle
t
CSR
t
ASR
t
ASC
t
CHR
t
CP
t
WRP
t
RAL
t
CAH
t
RSH
t
CAS
t
RP
t
RAS
t
RCS
t
CDD
t
CAC
t
AA
t
WRH
t
OEA
t
ODD
t
CLZ
t
DZC
t
DZO
t
OEZ
t
OFF
t
RWL
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
WRH
t
WRP
t
DS
t
DH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
CAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
WE
OE
Column
Row
Data Out
Data In
HI-Z
Read Cycle:
Write Cycle:
t
RRH
t
RCH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3165405BTL-60 | Wideband, Low Distortion Fully Differential Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40 to 85 |
| HYB3165405T-50 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405T-60 | Wideband, Low-Distortion Fully Differential Amplifier 8-SOIC -40 to 85 |
| HYB3164405ATL-50 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405ATL-50 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165405BT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。