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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3165405BTL-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/32頁(yè) |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | HYB3165405BTL-50 |
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Semiconductor Group
100
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
–
10
–
ns
18)
Write command hold time
10
–
10
–
ns
18)
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V ,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164405BJ-60 | SRAM Memory IC; Memory Type:NMOS SRAM; Interface Type:Serial; Access Time, Tacc:350ns; Package/Case:16-DIP; Mounting Type:Through Hole |
| HYB3164405AJ | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD 0 to 70 |
| HYB3164405AT-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
| HYB3164405BJ | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
| HYB3164405J | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405J-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405J-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405T-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405T-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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