參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3165800AJ-40
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 8 FAST PAGE DRAM, 40 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
文件頁數(shù)： 1/26頁
文件大小： 247K
代理商： HYB3165800AJ-40
Semiconductor Group
1
6.97
8 388 608 words by 8-bit organization
0 to 70 °C operating temperature
Fast Page Mode operation
Performance:
Single + 3.3 V (
± 0.3V) power supply
Low power dissipation:
max. 396 mW active ( HYB 3164800AJ/AT(L) -40)
max. 324 mW active ( HYB 3164800AJ/AT(L) -50)
max. 270 mW active ( HYB 3164800AJ/AT(L) -60)
max. 558 mW active ( HYB 3165800AJ/AT(L) -40)
max. 468 mW active ( HYB 3165800AJ/AT(L) -50)
max. 378 mW active ( HYB 3165800AJ/AT(L) -60)
7.2
mW standby (LVTTL)
3.24 mW standby (LVCMOS)
720
W standby for L-versions
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh (CBR),
RAS-only refresh, hidden refresh and self refresh (L-version only)
8192 refresh cycles/128 ms , 13 R/ 10C addresses (HYB 3164800AJ/AT)
4096 refresh cycles/ 64 ms , 12 R/ 11C addresses (HYB 3165800AJ/AT)
256 msec refresh period for L-versions
Plastic Package:
P-SOJ-32-1
400 mil
HYB 3164(5)800AJ
P-TSOPII-32-1
400 mil
HYB 3164(5)800AT(L)
-40
-50
-60
tRAC
RAS access time
40
50
60
ns
tCAC
CAS access time
10
13
15
ns
tAA
Access time from address
20
25
30
ns
tRC
Read/write cycle time
75
90
110
ns
tPC
Fast page mode cycle time
30
35
40
ns
8M x 8-Bit Dynamic RAM
Advanced Information
HYB 3164800AJ/AT(L) -40/-50/-60
HYB 3165800AJ/AT(L) -40/-50/-60
( 4k & 8k Refresh)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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HYB3165800AT-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3165800AT-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM
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