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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165805BT-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 文件頁數(shù)： | 25/32頁 |
| 文件大小： | 477K |
| 代理商： | HYB3165805BT-60 |
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Semiconductor Group
173
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
CAS-before-RAS Refresh Cycle
t
RP
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CRP
t
CP
t
RPC
t
CHR
t
WRH
t
WRP
t
CSR
t
RPC
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
ODD
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
HI-Z
“H” or “L”
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
CAS
VOH
VOL
WL10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB3164805TL-50 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3165805T-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
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