- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370790 > HYB3165805TL-50 (SIEMENS A G) 8M x 8-Bit Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165805TL-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO34 |
| 文件頁數(shù)： | 12/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | HYB3165805TL-50 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁當前第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
Semiconductor Group
160
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
–
10
–
ns
18)
Write command hold time
10
–
10
–
ns
18)
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V ,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164805TL-60 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165805TL-60 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805AJ | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
| HYB3164805AT-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
| HYB3164805AT-60 | Enhanced Product Wideband Low-Distortion Fully Differential Amplifier 8-MSOP-PowerPAD -55 to 125 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165805TL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3166160AT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3166160AT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3166160AT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3166160ATL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。