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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5117400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO26 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SO-26 |
| 文件頁數(shù)： | 9/26頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | HYB5117400BJ-50 |
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HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
9
1998-10-01
OE access time
t
OEA
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
OFF
t
OEZ
t
DZO
t
CDD
t
ODD
–
13
–
15
ns
Column address to RAS lead time
25
–
30
–
ns
Read command setup time
0
–
0
–
ns
Read command hold time
0
–
0
–
ns
11
Read command hold time referenced to RAS
0
–
0
–
ns
11
CAS to output in low-Z
0
–
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay
0
13
0
15
ns
12
Output buffer turn-off delay from OE
0
13
0
15
ns
12
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
13
–
15
–
ns
14
OE high to data delay
13
–
15
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DZC
8
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
13
–
15
–
ns
Write command to CAS lead time
13
–
15
–
ns
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
10
–
10
–
ns
16
Data to CAS low delay
0
–
0
–
ns
13
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
126
–
150
–
ns
RAS to WE delay time
68
–
80
–
ns
15
CAS to WE delay time
31
–
35
–
ns
15
Column address to WE delay time
43
–
50
–
ns
15
OE command hold time
13
–
15
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5117400BJ-50- | Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 350 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes |
| HYB5117400BT-50 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-70 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 5117400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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