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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5117400BJ-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
| 文件頁數(shù)： | 23/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | HYB5117400BJ-70 |
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HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
23
1998-10-01
CAS-before-RAS Refresh Counter Test Cycle
SPT03036
"H" or "L"
t
WCH
t
t
DZC
t
(Inputs)
I/O
(Outputs)
I/O
OH
OL
V
IL
V
V
IH
V
OE
WE
Write Cycle
IL
IL
V
IH
V
V
IH
V
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
OL
V
OH
V
IL
V
IH
V
t
DS
Z
Hi
Data IN
t
WRP
WRH
t
DH
t
t
DZO
WCS
t
t
t
CLZ
OE
WE
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
Address
CAS
IH
IL
V
V
V
IL
IH
V
Read Cycle
RAS
V
IH
IL
V
WRP
t
WRH
t
t
RCS
AA
t
CAC
t
ASC
t
t
CAH
Column
CSR
t
CHR
t
CP
t
RAS
t
RWL
CWL
t
Data OUT
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
OEA
t
RRH
RAL
CAS
t
CDD
t
RCH
t
t
ASR
Row
RSH
t
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5117400BJ-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB 3116400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3116400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3117400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3117400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5117405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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