參數(shù)資料
型號(hào)： HYB514400BT-70
廠(chǎng)商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88%
中文描述： 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO20
文件頁(yè)數(shù)： 8/24頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商： HYB514400BT-70
HYB 514400BJ-50/-60
1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
8
1998-10-01
Access time from CAS precharge
t
CPA
t
RAS
t
RHCP
–
30
–
35
ns
7
RAS pulse width
50
200k
60
200k
ns
CAS precharge to RAS delay
30
–
35
–
ns
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read-write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
71
–
80
–
ns
CAS precharge to WE
48
–
55
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
40
–
ns
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min. max. min. max.
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PDF描述
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