參數(shù)資料
型號(hào)： HYB514405BJ-70
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 1M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO20
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20
文件頁(yè)數(shù)： 2/25頁(yè)
文件大?。?/td> 1361K
代理商： HYB514405BJ-70
Semiconductor Group
2
HYB 514405BJ/BLJ-50/-60/-70
1M x 4 EDO - DRAM
The HYB 514405BJ is the new generation dynamic RAM organized as 1 048 576 words by 4-bit.
The HYB 514405BJ utilizes CMOS silicon gate process as well as advances circuit techniques to
provide wide operation margins, both internally and for the system user. Multiplexed address inputs
permit the HYB 514405BJ to be packed in a standard plastic P-SOJ-26/20 package. This package
size provides high system bit densities and is compatible with commonly used automatic testing and
insertion equipment. System oriented feature include single + 5 V (
±
10 %) power supply, direct
interfacing with high performance logic device families.
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Descriptions
HYB 514405BJ-50
Q67100-Q2116
P-SOJ-26/20-5
EDO-DRAM
(access time 50 ns)
HYB 514405BJ-60
Q67100-Q2118
P-SOJ-26/20-5
EDO-DRAM
(access time 60 ns)
HYB 514405BJ-70
Q67100-Q2120
P-SOJ-26/20-5
EDO-DRAM
(access time 70 ns)
HYB 514405BJL-50
on request
P-SOJ-26/20-5
Low Power EDO-DRAM
(access time 50 ns)
HYB 514405BJL-60
on request
P-SOJ-26/20-5
Low Power EDO-DRAM
(access time 60 ns)
HYB 514405BJL-70
on request
P-SOJ-26/20-5
Low Power EDO-DRAM
(access time 70 ns)
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PDF描述
HYB 514405BJ 1M x 4-Bit Dynamic RAM(1M x 4-位動(dòng)態(tài) RAM (超級(jí)頁(yè)面EDO模式))
HYB 514405BJL 1M x 4-Bit Dynamic RAM(1M x 4-位動(dòng)態(tài) RAM (超級(jí)頁(yè)面EDO模式))
HYB514405BJ 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514405BJ-60 RES 1.3K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA
HYB514405BJ-50 1M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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