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參數(shù)資料
| 型號： | HYM324025GS-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4M X 32 EDO DRAM MODULE, 50 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | HYM324025GS-50 |
Semiconductor Group
6
HYM 324025S/GS-50/-60
4M x 32-Bit EDO-Module
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current
during hyper page mode (EDO)
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling,
t
HPC
=
t
HPC
min)
50 ns - Version
60 ns - Version
I
CC4
–
–
560
440
mA
mA
2) 3) 4)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current
during CAS-before-RAS refresh mode
(RAS, CAS cycling,
t
RC
=
t
RC
min)
I
CC5
–
8
mA
1)
50 ns - Version
60 ns - Version
I
CC6
–
–
960
880
mA
mA
2) 4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A10,WE)
Input capacitance (RAS0, RAS2)
C
I1
C
I2
C
I3
C
IO
–
–
75
45
pF
pF
Input capacitance (CAS0 - CAS3)
–
25
pF
I/O capacitance
(DQ0-DQ31)
–
15
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM324025GS-60 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328000GD- | 8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM328000GD-50 | 8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM328000GD-60 | 8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM328020GD- | 8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM324025GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM324025S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM324025S-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM324025S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328000GD- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
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