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參數(shù)資料
| 型號： | HYM328025S-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 8M X 32 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | HYM328025S-60 |
Semiconductor Group
3
HYM328025S/GS-50/-60
8M
×
32-Bit EDO-Module
Pin Configuration
VSS 1 DQ0 2
DQ16 3 DQ1 4
DQ17 5 DQ2 6
DQ18 7 DQ3 8
DQ19 9 VCC 10
N.C. 11 A0 12
A1 13 A2 14
A3 15 A4 16
A5 17 A6 18
A10 19 DQ4 20
DQ20 21 DQ5 22
DQ21 23 DQ6 24
DQ22 25 DQ7 26
DQ23 27 A7 28
N.C 29 VCC 30
A8 31 A9 32
RAS3 33 RAS2 34
N.C. 35 N.C. 36
N.C. 37 N.C. 38
VSS 39 CAS0 40
CAS2 41 CAS3 42
CAS1 43 RAS0 44
RAS1 45 N.C. 46
WE 47 N.C. 48
DQ8 49 DQ24 50
DQ9 51 DQ25 52
DQ10 53 DQ26 54
DQ11 55 DQ27 56
DQ12 57 DQ28 58
VCC 59 DQ29 60
DQ13 61 DQ30 62
DQ14 63 DQ31 64
DQ15 65 N.C. 66
PD0 67 PD1 68
PD2 69 PD3 70
N.C. 71 VSS 72
Pin Names
Presence Detect Pins
A0-A10
Address Inputs
DQ0-DQ31
Data Input/Output
CAS0 - CAS3
Column Address Strobe
RAS0- RAS3
Row Address Strobe
WE
V
CC
V
SS
PD
Read/Write Input
Power (+ 5 V)
Ground
Presence Detect Pin
N.C.
No Connection
-50
-60
PD0
PD1
N.C.
V
SS
V
SS
V
SS
N.C.
V
SS
N.C.
PD2
PD3
N.C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM328025S | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328025S-50 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328025GS-50 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328025GS-60 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM361140S-60 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM32V4040GD-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GD-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GDL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GDL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V8040GD-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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