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參數(shù)資料
| 型號： | HYM328025S |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 8米× 32位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | HYM328025S |
Semiconductor Group
6
HYM328025S/GS-50/-60
8M
×
32-Bit EDO-Module
DC Characteristics
1)
(cont’d)
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current
during hyper page mode (EDO)
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling,
t
PC
=
t
PC
min)
-50 version
-60 version
I
CC4
–
–
560
440
mA
mA
2) 3) 4)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current
during CAS-before-RAS refresh mode
(RAS, CAS cycling,
t
RC
=
t
RC
min)
I
CC5
–
16
mA
1)
-50 version
-60 version
I
CC6
–
–
960
880
mA
mA
2) 4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A10,WE)
C
I1
C
I2
C
I3
C
IO
–
120
pF
Input capacitance (RAS0 - RAS3)
–
45
pF
Input capacitance (CAS0 - CAS3)
–
40
pF
I/O capacitance
(DQ0-DQ31)
–
25
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM328025S-50 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328025GS-50 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328025GS-60 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM361140S-60 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
| HYM361140GS-60 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM328025S-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM328025S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM32V4040GD-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GD-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GDL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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