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參數(shù)資料
| 型號： | HYM362140S-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 2M X 36 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 161K |
| 代理商： | HYM362140S-70 |
Semiconductor Group
606
DC Characteristics
1)
(cont’d)
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current
during fast page mode
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling,
t
PC
=
t
PC
min)
-60 version
-70 version
I
CC4
–
–
864
744
mA
mA
2)
3)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current
during CAS-before-RAS refresh mode
(RAS, CAS cycling,
t
RC
=
t
RC
min)
I
CC5
–
24
mA
-60 version
-70 version
I
CC6
–
–
1264
1144
mA
mA
2)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance
(A0 to A9, WE)
C
I1
–
180
pF
Input capacitance
(RAS0-RAS3, CAS0-CAS3)
C
I2
–
45
pF
I/O capacitance
(DQ0-DQ7, DQ9-DQ16, DQ18-DQ25, DQ27-DQ34)
C
IO1
–
25
pF
I/O capacitance
(DQ8, DQ17, DQ26, DQ35)
C
IO2
–
35
pF
HYM 362140S/GS-60/-70
2M x 36-Bit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM364020GS-60 | 4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM364020S | 4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM364020S-60 | 4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM364025S | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYM364025S-50 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM362500S-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM364020GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM364020GS-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM364020S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM364020S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
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