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參數(shù)資料
| 型號： | HYM368035GS-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 8M X 36 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 557K |
| 代理商： | HYM368035GS-60 |
Semiconductor Group
7
HYM 368035S/GS-60
8M
×
36-Bit EDO-Module
AC Characteristics
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-60
min.
max.
Common Parameters
Random read or write cycle time
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
104
–
ns
RAS precharge time
40
–
ns
RAS pulse width
60
10k
ns
CAS pulse width
10
10k
ns
Row address setup time
0
–
ns
Row address hold time
10
–
ns
Column address setup time
0
–
ns
Column address hold time
10
–
ns
RAS to CAS delay time
14
45
ns
RAS to column address delay time
12
30
ns
RAS hold time
15
–
ns
CAS hold time
60
–
ns
CAS to RAS precharge time
5
–
ns
Transition time (rise and fall)
1
50
ns
7
Refresh period
–
32
ms
Read Cycle
Access time from RAS
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
OFF
–
60
ns
8, 9
Access time from CAS
–
15
ns
8, 9
Access time from column address
–
30
ns
8,10
Column address to RAS lead time
30
–
ns
Read command setup time
0
–
ns
Read command hold time
0
–
ns
11
Read command hold time referenced to RAS
0
–
ns
11
CAS to output in low-Z
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay
0
15
ns
12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM641010GS-60 | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641010GS-60- | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641010GS-70 | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641020GS-60 | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641020GS-70 | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYM368035S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
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| HYM641005GS-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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