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參數(shù)資料
| 型號： | HYM64V1005GU-5 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3V的100萬個64位江戶內(nèi)存3.3V的100萬× 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | HYM64V1005GU-5 |
HYM 64(72)V1005GU-50/-60
1M x 64/72 DRAM Module
Semiconductor Group
10
Data to CAS low delay
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
8
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
13
–
15
–
ns
Write command to CAS lead time
Data setup time
13
0
–
–
15
0
–
–
ns
ns
16
Data hold time
8
–
10
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
113
–
138
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
77
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
32
–
ns
15
Column address to WE delay time
39
–
47
–
ns
15
OE command hold time
10
–
13
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle time
t
HPC
t
CP
t
CPA
t
COH
t
RAS
t
RHPC
t
OES
20
–
25
–
ns
CAS precharge time
8
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
27
–
32
ns
7
Output data hold time
5
–
5
–
ns
RAS pulse width in EDO mode
50
200k
60
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
27
–
32
–
ns
OE setup time prior to CAS
5
–
5
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
16E
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM64V1005GU-50 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1005GU-60 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V1005GU-60 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V1600GS-50 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1610GS-50 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM64V1005GU-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1005GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1005GU-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM64V1605GU-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1605GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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