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參數資料
| 型號： | HYM724000GS-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 4米× 72位動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數： | 9/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | HYM724000GS-50- |
Semiconductor Group
9
HYM724000/10GS-50/-60
4M x 72 ECC- Module
Fast Page Mode Read-Modify-Write
Cycle
Fast page mode read-write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
73
–
82
–
ns
11
CAS precharge to WE
50
–
57
–
ns
11,21
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
7
–
7
–
ns
11
CAS hold time
8
–
8
–
ns
10
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
12
–
12
–
ns
11
Write hold time referenced to RAS
8
–
8
–
ns
10
Presence Detect Read Cycle
PDE to valid presence detect data
t
PD
t
PDOFF
–
10
–
10
ns
PDE inactive to presence detects
inactive
0
10
0
10
ns
AC Characteristics
(cont’d)(note: 5,6,7,8)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5.0
±
10 %
Parameter
Symbol
-50
-60
Unit
Note
min.
max.
min.
max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM724000GS-60 | 4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM724000GS-50 | 4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM724010GS-50 | 4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1005GU-50 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1005GU-5 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYM724000GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM724010GS-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM724010GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1005GU-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V1005GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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