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參數(shù)資料
| 型號： | HYM72V1600GS-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 16米x 72位動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 12/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | HYM72V1600GS-50- |
Semiconductor Group
6
HYM72V1600/10GS-50/-60
16M x 72-ECC Module
Average
V
CC
supply current during RAS
only refresh cycles:
-50 version
-60 version
(RAS cycling, CAS =
V
IH
, t
RC
=
t
RC
min.)
Average
V
CC
supply current during fast
page mode:
I
CC3
–
–
2000
1800
mA
mA
2) 4)
-50 version
-60 version
(RAS =
V
IL,
CAS, address cycling
t
PC
=
t
PC
min.)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V,
V16one address change)
Average
V
CC
supply current during
CAS-before-RAS refresh mode:
I
CC4
–
–
1550
1400
mA
mA
2) 3) 4)
I
CC5
–
30
mA
–
-50 version
-60 version
(RAS, CAS cycling
, t
RC
=
t
RC
min.)
I
CC6
–
–
2000
1800
mA
mA
2) 4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V1610GS-60 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1600GS-60 | 16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1605GU-50 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1605GU-50 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1605GU-60 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM72V1600GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V1605GS-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM72V1605GS-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM72V1605GU-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V1605GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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