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參數(shù)資料
| 型號： | HYM72V2005GS-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 2M X 72 EDO DRAM MODULE, 60 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | HYM72V2005GS-60 |
Semiconductor Group
1
2M
×
72-Bit EDO-DRAM Module
(ECC - Module)
168 pin buffered DIMM Module
HYM 72V2005GS-50/-60
168 pin JEDEC Standard, Buffered 8 Byte Dual In-Line Memory Module
for PC main memory applications
1 bank 2 M x 72 organisation
Optimized for ECC applications
Extended Data Out (EDO)
Performance:
Single + 3.3V
±
0.3 V supply
CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clock fully LVTTL & LVCMOS compatible
4 Byte interleave enabled, Dual Address inputs (A0/B0)
Buffered inputs excepts RAS and DQ
Parallel Presence Detects
Utilizes nine 2M
×
8 -DRAMs and BiCMOS buffers/line drivers
2048 refresh cycles / 32 ms with 11 / 10 addressing
Gold contact pad
Double sided module with 25.35 mm (1000 mil) height
-50
-60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS access time
50
60
ns
CAS access time
18
20
ns
Access time from address
30
35
ns
Read/Write cycle time
84
104
ns
Fast page mode cycle time
20
25
ns
11.96
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V2005GU-50 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GU-60 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GS-50 | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GS-50- | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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