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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM72V2005GU-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 2M X 72 EDO DRAM MODULE, 60 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/11頁(yè) |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | HYM72V2005GU-60 |
Semiconductor Group
9
HYM72V2005GS-50/-60
2M x 72-ECC Module
Hyper Page Mode Read-Modify-Write
Cycle
Hyper page mode read-write cycle time
t
PRWC
CAS precharge to WE
60
–
70
–
ns
11
t
CPWD
43
–
51
–
ns
11,21
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
12
–
12
–
ns
11
CAS hold time
8
–
8
–
ns
10
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
12
–
12
–
ns
11
Write hold time referenced to RAS
8
–
8
–
ns
10
Presence Detect Read Cycle
PDE to valid presence detect data
t
PD
t
PDOFF
–
10
–
10
ns
PDE inactive to presence detects
inactive
0
10
0
10
ns
AC Characteristics
(cont’d) (note: 5,6,7,8)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
Parameter
Symbol
-50
-60
Unit
Note
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V2005GS-50 | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GS-50- | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V4000GS-50 | 4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM72V4010GS-50 | Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes |
| HYM72V4000GS-50- | 4M x 72-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM72V2005GU-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM72V32636BLT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx64|3.3V|K/H|x8|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
| HYM72V32636BLT8-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|32MX64|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
| HYM72V32636BLT8-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|32MX64|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
| HYM72V32636BT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx64|3.3V|K/H|x8|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
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