參數(shù)資料
型號(hào): HYMA6V32730E14HGTG
英文描述: 32Mx72|3.3V|45|x36|FP/EDO DRAM - 256MB Buffered DIMM
中文描述: 32Mx72 | 3.3 | 45 | x36 |計(jì)劃生育/ EDO公司的DRAM - 256MB的緩沖DIMM
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代理商: HYMA6V32730E14HGTG
HYMA6V16730E14HGTG
Rev.0.1/Apr.01
3
Functinal Block Diagram
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
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DQ 55
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DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 64
DQ 65
DQ 66
DQ 67
DQ 68
DQ 69
DQ 70
DQ 71
V
CC
V
SS
0.22uF Capacitor
D0~D17, Buffer
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D9
DQ 0
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DQ 2
DQ 3
D10
DQ 0
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DQ 2
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D11
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DQ 3
D12
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DQ 3
D13
DQ 0
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DQ 1
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DQ 3
D15
DQ 0
DQ 1
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D16
DQ 0
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D17
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DQ 35
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
D0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
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D2
DQ 0
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DQ 1
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DQ 3
D4
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D7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D8
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D1
V
CC
V
SS
2.2uF Tantal
Capacitor
+
DRAMS: D0~D17
A1~A11
A0
B0
DRAMS: D0~D8
DRAMS: D9~D17
VSS
PDE
(when= 0, 1= NC)
D0~D17, Buffer
OE0
WE0
CAS0
RAS0
A1~A11
CAS4
RAS2
OE2
WE2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYMA6V32733E14HGTG 32Mx72|3.3V|45|x36|FP/EDO DRAM - 256MB Buffered DIMM
HYMA6V8730E18HGTG 8Mx72|3.3V|45|x9|FP/EDO DRAM - 64MB Buffered DIMM
HYMR11648-653 RAMBUS DRAM Module
HYMR11648-840 RAMBUS DRAM Module
HYMR11648-845 RAMBUS DRAM Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYMD1166458 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|2.5V|H/L|x8|DDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB
HYMD116645A8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|2.5V|K/H/L|x8|DDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB
HYMD116645A8-H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|16MX64|CMOS|DIMM|184PIN|PLASTIC
HYMD116645A8-K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|16MX64|CMOS|DIMM|184PIN|PLASTIC
HYMD116645A8-L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|16MX64|CMOS|DIMM|184PIN|PLASTIC