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參數(shù)資料
| 型號： | HYMA6V32733E14HGTG |
| 英文描述： | 32Mx72|3.3V|45|x36|FP/EDO DRAM - 256MB Buffered DIMM |
| 中文描述： | 32Mx72 | 3.3 | 45 | x36 |計劃生育/ EDO公司的DRAM - 256MB的緩沖DIMM |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 494K |
| 代理商： | HYMA6V32733E14HGTG |
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HYMA6V16730E14HGTG
Rev.0.1/Apr.01
5
DC Electrical Characteristics
(T
A
= 0 ~ 70
o
C, Vcc = 3.3V +/- 0.3V )
Note : 1. Icc depends on output load condition when the device is selected. Icc(max) is specified at the output open condition
2. Address can be changed once or less while /RAS = VIL
3. Address can be changed once or less while /CAS = VIH
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Note
VOH
Output Level
Output “H” Level voltage(Iout= -2mA)
2.4
Vcc
V
VOL
Output Level
Output “L” Level voltage(Iout=2mA)
0
0.4
V
ICC1
Operating current
Average power supply operating current
( /RAS, /CAS Cycling : tRC = tRC min)
50ns
-
2540
mA
1, 2
60ns
-
2360
I
CC2
Standby current (TTL interface)
Power supply standby current
(/RAS, /UCAS,/LCAS=VIH, Dout = High-Z)
-
56
mA
ICC3
/RAS only refresh current
Average power supply current
/RAS only refresh mode
(/RAS cycling, /CAS=VIH, tRC= tRC min)
50ns
-
2540
mA
2
60ns
-
2360
ICC4
Extended data out page mode current
(/RAS=VIL, /CAS, Address cycling : tHPC=tHPC min)
50ns
-
2000
mA
1, 3
60ns
-
1820
ICC5
Standby current (CMOS )
Power supply standby current
( /RAS, /UCAS, /LCAS >= Vcc-0.2V, Dout = High-Z)
-
29
mA
ICC6
/CAS-before-/RAS refresh current (tRC=tRC min)
50ns
-
2540
mA
60ns
-
2360
ICC7
Battery back up operating current (standby with CBR)
(tRC=31.25us, tRAS=300ns, Dout=High-Z)
-
110
uA
1
II(L)
Input leakage current, Any input (0V<= Vin<=Vcc)
-5
5
uA
IO(L)
Output leakage current, (Dout is disabled, 0V<= Vout<=Vcc)
-5
5
uA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMA6V8730E18HGTG | 8Mx72|3.3V|45|x9|FP/EDO DRAM - 64MB Buffered DIMM |
| HYMR11648-653 | RAMBUS DRAM Module |
| HYMR11648-840 | RAMBUS DRAM Module |
| HYMR11648-845 | RAMBUS DRAM Module |
| HYMR11664-653 | RAMBUS DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYMD1166458 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|2.5V|H/L|x8|DDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB |
| HYMD116645A8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|2.5V|K/H/L|x8|DDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB |
| HYMD116645A8-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|16MX64|CMOS|DIMM|184PIN|PLASTIC |
| HYMD116645A8-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|16MX64|CMOS|DIMM|184PIN|PLASTIC |
| HYMD116645A8-L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|16MX64|CMOS|DIMM|184PIN|PLASTIC |
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